|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：The initial silicon on insulator (SOI) structure is modified by etching the insulant. Implantation can be used to define precisely-dimensioned zones, which have different etching rates. Implantation may pass completely through the insulating layer, or may penetrate it, reaching a controlled depth. A hole can be formed 是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The initial silicon on insulator (SOI) structure is modified by etching the insulant. Implantation can be used to define precisely-dimensioned zones, which have different etching rates. Implantation may pass completely through the insulating layer, or may penetrate it, reaching a controlled depth. A hole can be formed
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
上绝缘体（SOI）结构的硅，通过蚀刻绝缘材料改性。植入可用于精确地定义，尺寸区域，它们具有不同的蚀刻速度。植入可完全穿过绝缘层，或者可以穿透它，达到受控深度。可以形成在表面层的孔。
|
|
2013-05-23 12:23:18
铭刻绝缘物体修改最初的绝缘体上硅薄膜(SOI)结构。安放可以用于定义精确被度量的区域，有不同的蚀刻率。安放也许完全地穿过绝缘层或者也许击穿它，到达受控深度。一个孔可以被形成在表面层数。
|
|
2013-05-23 12:24:58
在绝缘体SOI结构 () 铭刻绝缘物体修改最初的硅。 安放可以用于定义精确被度量的区域，有不同的蚀刻率。 安放也许完全地穿过绝缘层或者也许击穿它，到达受控深度。 一个孔可以被形成在表面层数。
|
|
2013-05-23 12:26:38
在初始硅 （soi） 结构是由蚀刻绝缘物体修改。植入可用于定义精确地度量的区域，有不同的刻蚀率。植入可能完全通过隔热层，或可能会穿透它，，控制深度。可以在表面层中形成一个洞。
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
