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2013-05-23 12:21
求翻译：Semiconductor structure for manufacture of ultra thin buried oxide (UTBOX) wafers for fabrication of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices has side wall doped region which is formed on region of inner surface of trench是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Semiconductor structure for manufacture of ultra thin buried oxide (UTBOX) wafers for fabrication of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices has side wall doped region which is formed on region of inner surface of trench
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
用于制造超薄埋入氧化物（UTBOX）晶片为互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的制造半导体结构的侧壁掺杂形成在沟槽的内表面的区域区
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2013-05-23 12:23:18
超生产的稀薄的被埋没的氧化物(UTBOX)薄酥饼制造的半导体结构互补金属氧化物半导体(CMOS)设备有在沟槽内在表面的区域被形成的侧面墙被掺杂的区域
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2013-05-23 12:24:58
半导体结构为超稀薄的被埋没的氧化物UTBOX薄酥饼 (制造) 为生产补全金属氧化物半导体 (CMOS) 设备有在沟槽内在表面的区域被形成的侧面墙被掺杂的区域
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2013-05-23 12:26:38
半导体制造的超瘦的结构埋氧化 (UTBOX) 片的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 设备的制造已侧墙掺杂的区域组成的区域内表面的沟上
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2013-05-23 12:28:18
半导体结构制造的超薄葬在氧化物[utbox]晶片制造的互补金属氧化物半导体(CMOS)设备已麻痹侧壁上形成区域上的区域内表面的沟
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