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2013-05-23 12:21
求翻译：Fabrication of a composite SiCOI substrate using an initial support supporting a layer of silica carrying a thin film of silicon carbide with epitaxy of a thin film of silicon carbide for the production of semiconductor devices是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Fabrication of a composite SiCOI substrate using an initial support supporting a layer of silica carrying a thin film of silicon carbide with epitaxy of a thin film of silicon carbide for the production of semiconductor devices
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
使用支撑层的二氧化硅承载的碳化硅薄膜与碳化硅薄膜的外延用于生产半导体器件的初始支持复合sicoi基板的制造
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2013-05-23 12:23:18
生产使用支持硅土的层数最初的支持的一个综合SiCOI基体运载碳化硅薄膜与碳化硅薄膜的外延的半导体装置的生产的
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2013-05-23 12:24:58
生产一个综合SiCOI基体使用支持硅土的层数最初的支持运载薄膜碳化硅以外延薄膜碳化硅为半导体装置的生产
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2013-05-23 12:26:38
使用初始支持支持一层二氧化硅携带碳化硅半导体器件的生产的薄膜的外延碳化硅的一层薄膜的复合 SiCOI 基板材料的制备
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2013-05-23 12:28:18
捏造的一个复合sicoi基材使用一个初始支持支持一个图层的硅微粉生产基地有一层薄薄的硅芯片与固溶体碳化钨的一层薄薄的碳化硅生产半导体设备
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