|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：The oxide layer is subjected to deoxidation process so as to force the silicon layer to be thin with uniform thickness by washing the layer using hydrofluoric acid so as to reduce the tolerated variations of the thickness of the active silicon layer, thus obtaining the thinned silicon layer with uniform thickness in an是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The oxide layer is subjected to deoxidation process so as to force the silicon layer to be thin with uniform thickness by washing the layer using hydrofluoric acid so as to reduce the tolerated variations of the thickness of the active silicon layer, thus obtaining the thinned silicon layer with uniform thickness in an
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
氧化物层进行脱氧处理，以便迫使硅层要薄带厚度均匀通过使用氢氟酸洗涤该层，以便减少有源硅层的厚度的变化的耐受性，由此获得的薄膜化的硅层具有均匀的厚度以容易的方式。
|
|
2013-05-23 12:23:18
氧化物层数被服从对脱氧过程以便强迫硅层数是稀薄的与一致的厚度通过洗涤层数使用氢氟酸以便减少活跃硅层数的厚度的被容忍的变异，因而获得与一致的厚度的变薄的硅层数以容易的方式。
|
|
2013-05-23 12:24:58
氧化物层数被服从到脱氧过程以便强迫硅层数是稀薄的以一致的厚度通过洗涤层数使用氢氟酸以便减少活跃硅层数的厚度的被容忍的变异，因而获得变薄的硅层数以一致的厚度以容易的方式。
|
|
2013-05-23 12:26:38
氧化层受到脱氧过程，迫使要薄均匀厚度由洗涤的图层使用，以减少活性硅层，从而取得薄的硅层厚度均匀与以轻松的方式的厚度的耐受性的变异氢氟酸的硅层。
|
|
2013-05-23 12:28:18
氧化物层受到deoxidation进程,以便迫使芯片层,厚度薄,采用统一的图层的清洗使用氢氟酸,以减少差异的容忍的厚度硅层的活动,从而获得云层转薄硅层的厚度一致,在使用方便的方式。
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
