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2013-05-23 12:21
求翻译:Method of preparing hydrophobic bonding surface (7, 13) for preparing direct silicon bonding substrate, and strained material layer including strained silicon layer or strained silicon-germanium layer over base substrate (claimed).是什么意思?![]() ![]() Method of preparing hydrophobic bonding surface (7, 13) for preparing direct silicon bonding substrate, and strained material layer including strained silicon layer or strained silicon-germanium layer over base substrate (claimed).
问题补充: |
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2013-05-23 12:21:38
用于制备硅直接键合衬底,并且包括应变硅层或应变硅 - 锗层于基板(权利)的应变材料层制备的疏水键合表面(7,13)的方法。
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2013-05-23 12:23:18
疏水接合表面方法(7, 13)为准备直接硅接合基体做准备和紧张的物质层数包括紧张的硅层数或紧张的硅锗层数在基本的基体(被要求)。
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2013-05-23 12:24:58
准备疏水接合表面方法 (7, 13) 为准备直接硅接合基体和被劳损的物质层数包括被劳损的硅层数或被劳损的硅锗层数在基本的基体 (要求)。
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2013-05-23 12:26:38
制备疏水性粘接表面 (7,13) 准备直接硅键合基板和劳损材料层包括被劳损的硅层或被劳损的硅锗层在基底物 (索赔) 的方法。
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2013-05-23 12:28:18
疏水的准备方法粘合表面[7,13],准备直接芯片粘接基材、和张力材料层包括张力硅层或张力硅锗层基材底座上[说]。
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