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2013-05-23 12:21
求翻译：Planarization method for heteroepitaxial layer, involves performing chemical-mechanical polishing (CMP) of heteroepitaxial layer surface with polishing pad having compressibility rate less than soft pad and more than hard pad是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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Planarization method for heteroepitaxial layer, involves performing chemical-mechanical polishing (CMP) of heteroepitaxial layer surface with polishing pad having compressibility rate less than soft pad and more than hard pad
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
平坦化方法的异质外延层中，涉及到与具有比软垫比硬垫的压缩率更低，更抛光垫进行异质外延层表面的化学机械抛光（CMP）
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2013-05-23 12:23:18
heteroepitaxial层数的Planarization方法，介入执行化学制品机械较不比软绵绵擦亮(CMP) heteroepitaxial层数表面与有的抛光模压缩性率垫和更多比硬爪掌病
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2013-05-23 12:24:58
Planarization方法为heteroepitaxial层数，介入较不比软绵绵地 (执行) heteroepitaxial层数表面化学制品机械擦亮的CMP用擦亮的垫有压缩性率垫和更多比硬爪掌病
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2013-05-23 12:26:38
异质层平坦化方法涉及执行的异质与抛光垫具有可压缩性率小于软垫和更多比硬垫层表面的化学机械抛光 (CMP)
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2013-05-23 12:28:18
planarization heteroepitaxial图层的方法,涉及到化学机械抛光(CMP]heteroepitaxial层的表面上,抛光垫有可压缩性心率小于软垫和多硬盘垫
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