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2013-05-23 12:21
求翻译：Increases polishing rate for Silicon Germanium while reducing the surface roughness in minimum of time by planarizing disturbed surfaces of heteroepitaxial layer materials e.g. Silicon Germanium (SiGe). Eliminates surface defects on heteroepitaxial layer e.g. crosshatch patterns and obtains final post splitting polish 是什么意思？ 待解决
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Increases polishing rate for Silicon Germanium while reducing the surface roughness in minimum of time by planarizing disturbed surfaces of heteroepitaxial layer materials e.g. Silicon Germanium (SiGe). Eliminates surface defects on heteroepitaxial layer e.g. crosshatch patterns and obtains final post splitting polish
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
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2013-05-23 12:23:18
擦亮硅锗的即增量率，当减少地面粗糙度在时间时极小值通过planarizing被干扰的表面heteroepitaxial层数材料硅锗(西赫)。即消灭在heteroepitaxial层数交叉阴影线样式的表面损坏并且获得最后的岗位分裂的擦亮剂，当保存工业和有效的过程时通过准许到达上流擦亮的率。
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2013-05-23 12:24:58
擦亮率为硅锗的增量，当减少地面粗糙度在时间时极小值通过planarizing heteroepitaxial层数材料被干扰的表面即。 硅锗 (SiGe)。 在heteroepitaxial层数消灭表面损坏即。 交叉涂画样式并且获得最后的岗位分裂的擦亮剂，当保存工业和费用有效的过程时通过允许到达上流擦亮的率。 因为planarization和使光滑在一步擦亮的过程，进行减少费用并且改进生产出产量与通常擦亮的过程比较。
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2013-05-23 12:26:38
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2013-05-23 12:28:18
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