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2013-05-23 12:21
求翻译：Determining crystalline quality of group three-four semiconductor layer, preferably indium phosphide or N-based group three-four material, involves subjecting first etched surface of semiconductor layer to second etching process是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Determining crystalline quality of group three-four semiconductor layer, preferably indium phosphide or N-based group three-four material, involves subjecting first etched surface of semiconductor layer to second etching process
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
确定组三四半导体层，最好是磷化铟或正基于组三四材料的结晶质量，包括使第一蚀刻半导体层的表面，第二蚀刻工艺
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2013-05-23 12:23:18
确定小组three-four半导体层的水晶质量，更适宜地磷化铟或基于N的小组three-four材料，介入服从半导体层首先被铭刻的表面到第二个蚀刻过程
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2013-05-23 12:24:58
确定小组three-four半导体层的水晶质量，更好地磷化铟或基于N的小组three-four材料，介入服从半导体层首先被铭刻的表面到第二个蚀刻过程
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2013-05-23 12:26:38
确定组的晶体质量三-四层半导体、 最好是磷化铟或基于 N 组三-四个材料，涉及服从第一蚀刻的表面的半导体层到第二次蚀刻过程
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2013-05-23 12:28:18
确定结晶质量的第三小组的四个半导体层,最好是磷化铟(或n-0基于组的四个材料,涉及使第一个蚀刻表面的半导体层,第二个蚀刻过程
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