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2013-05-23 12:21
求翻译：Gallium nitride vertical Schottky diode, has heavily doped p-type and n-type gallium nitride guard rings respectively provided at peripheries of electrode and lightly doped layer, where electrode is arranged on lightly doped layer是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Gallium nitride vertical Schottky diode, has heavily doped p-type and n-type gallium nitride guard rings respectively provided at peripheries of electrode and lightly doped layer, where electrode is arranged on lightly doped layer
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
氮化镓垂直肖特基二极管，具有重掺杂的p-型和n-型氮化镓保护环分别设置在电极的外周和轻掺杂的层，其中电极被设置在轻掺杂层
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2013-05-23 12:23:18
镓氮化物垂直的肖特基二极管，沉重掺杂了p型和n型的镓氮化物保护环分别提供在电极周围和轻地掺杂了层数，电极在轻地被掺杂的层数被安排
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2013-05-23 12:24:58
镓氮化物垂直的肖特基二极管，沉重掺杂了p类型和n类型镓氮化物保护环分别提供在电极周围和轻微掺杂了层数，电极在轻微被掺杂的层数被安排
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2013-05-23 12:26:38
垂直氮化镓肖特基二极管，有大量掺杂 p 型和 n 型镓氮化物保护环在周围的电极和轻掺杂的层电极轻掺杂层的排列位置分别提供
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2013-05-23 12:28:18
砷化镓氮化物垂直肖特基二极管,严重麻痹P型和N型砷化镓氮化物护刃器环在边缘地区分别提供的电极,并轻轻地麻痹层,其中电极排列在轻轻地麻痹层
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