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2013-05-23 12:21
求翻译：The method calibrates the heat treatment device, so as to reduce defects induced by offset of the substrates to be treated on the annular support. The method determines the centered position of semiconductor substrates in furnaces in a simple manner in order to facilitate and improve heat treatment of the substrates wi是什么意思？ 待解决
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The method calibrates the heat treatment device, so as to reduce defects induced by offset of the substrates to be treated on the annular support. The method determines the centered position of semiconductor substrates in furnaces in a simple manner in order to facilitate and improve heat treatment of the substrates wi
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
该方法校准热处理设备，以便减少诱导对环形支撑待处理的衬底偏置的缺陷。该方法确定，以促进和提高基材的热处理质量更好的在炉半导体衬底以简单的方式在中心位置。
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2013-05-23 12:23:18
方法在环型支持校准热治疗设备，以便减少基体的垂距之前导致的瑕疵被对待。方法确定半导体基体的中间位置在熔炉以简单的方式为了促进和改进基体的热治疗与更好质量的。
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2013-05-23 12:24:58
方法在环型支持校准热治疗设备，以便减少基体的垂距导致的瑕疵被对待。 方法确定半导体基体的中间位置在熔炉以简单的方式为了促进和改进基体的热治疗以更好质量。
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2013-05-23 12:26:38
该方法校准热处理设备，以减少缺陷致基体的偏移量，环形的支持治疗。方法促进和改善热处理的附着的质量更好的简单方式决定半导体基板在炉中的居中的位置。
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2013-05-23 12:28:18
校准方法的热处理设备,以减少缺陷引起的偏移量的承印物,被视为在环形支持。 这种方法确定的中心位置的半导体基片在炉一种简单的方式,以促进和改进散热的承印物的治疗,获得更好的质量。
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