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2013-05-23 12:21
求翻译：DRAM memory cell controlling method for FET transistor on semiconductor-on-insulator substrate, involves operating front and back control gates by applying voltage to front control gate and positive voltage to back control gate是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
DRAM memory cell controlling method for FET transistor on semiconductor-on-insulator substrate, involves operating front and back control gates by applying voltage to front control gate and positive voltage to back control gate
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
对半导体 - 绝缘体衬底FET晶体管的DRAM存储器单元的控制方法，包括操作前和后控制栅极施加电压，使前控制栅极和正电压到背控制栅极
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2013-05-23 12:23:18
FET晶体管的微量存储单元控制方法在半导体在绝缘体基体，介入操作前面和后面控制门通过适用于电压前面控制门和正面电压支持控制门
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2013-05-23 12:24:58
微量存储单元控制方法为FET晶体管在半导体在绝缘体基体，介入操作前面和后面控制门通过适用于电压前面控制门和正面电压支持控制门
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2013-05-23 12:26:38
DRAM 内存单元控制的绝缘体半导体基板上的场效应晶体管方法涉及到经营前面和后面控制盖茨通过向前台控制门和积极的电压来控制闸门应用电压
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2013-05-23 12:28:18
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