|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Manufacturing method for high resistivity-silicon on insulator (HR-SOI) substrate for radio frequency (RF) device, involves forming a second dielectric material layer, which is different from native oxide layer, on silicon substrate是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Manufacturing method for high resistivity-silicon on insulator (HR-SOI) substrate for radio frequency (RF) device, involves forming a second dielectric material layer, which is different from native oxide layer, on silicon substrate
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
对绝缘物（HR-SOI）衬底为射频（RF）装置的高电阻率的硅的制造方法，包括形成一第二介电材料层，该层是从原生氧化层不同，在硅衬底上
|
|
2013-05-23 12:23:18
高抵抗力硅的制造方法在射频(RF)设备的绝缘体(HR-SOI)基体，介入形成第二电介质材料层数，是与当地氧化物层数不同，在硅体
|
|
2013-05-23 12:24:58
制造方法为高抵抗力硅在绝缘体 (HR-SOI) 基体为射频 (RF) 设备，介入形成第二电介质材料层数，是与当地氧化物层数不同，在硅体
|
|
2013-05-23 12:26:38
制造高电阻率硅衬底 （HR soi） 无线电频率 (RF) 设备上的方法，涉及硅衬底上形成第二的介电材料层，是从本机氧化层不同，
|
|
2013-05-23 12:28:18
制造方法的电阻率较高的的绝缘硅[HR-SOI]纸张的无线电频率[RF]设备,涉及到形成一个第二层电介质材料,不同于本地氧化物层,在硅基材
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
