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2013-05-23 12:21
求翻译：An integration technique adapted for silicon bipolar technology with full implantation and self-aligned base and emitter contacts is presented. Two high frequency circuits, a Gilbert cell and an amplifier with a bandwidth of 700 MHz that operate from a 2 V supply voltage have been integrated. The circuits content only 是什么意思？ 待解决
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An integration technique adapted for silicon bipolar technology with full implantation and self-aligned base and emitter contacts is presented. Two high frequency circuits, a Gilbert cell and an amplifier with a bandwidth of 700 MHz that operate from a 2 V supply voltage have been integrated. The circuits content only
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
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2013-05-23 12:23:18
综合化技术为与充分的安放的硅双极技术适应了并且自排列了基地，并且提出放射器联络。两条高频率电路、一个吉尔伯特细胞和一个放大器有从2个V电源电压经营的带宽的700 MHz集成了。电路对在1.4-16 GHz和BVcBo之间的截止频率使仅npn晶体管满意> 15 V。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
提出了适合与完全植入和自对准的基地和辐射源联系人硅双极技术集成技术。集成了两个高频率电路、 吉尔伯特的单元格和放大器，从 2 V 电源电压操作的 700 MHz 的带宽。电路内容只 npn 晶体管与截止频率之间 1.4 16 g h z 和 BVcBo > 15 V。放大器电路的电源电压 (2-16 V) 的大型域有可调增益范围 10-40 dB （从一个命令电压）。© 1998 Elsevier 科学有限公司。所有权利 re ； erved。
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2013-05-23 12:28:18
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