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  • 匿名
关注：1 2013-05-23 12:21

求翻译：PRELIMINARY HEXFET® Power MOSFET PD - 9.1436B Fifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andruggedized device design that HEXFET PowerMOSFETs are well known for,是什么意思？

待解决 悬赏分：1 - 离问题结束还有
PRELIMINARY HEXFET® Power MOSFET PD - 9.1436B Fifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit, combined with the fast switching speed andruggedized device design that HEXFET PowerMOSFETs are well known for,
问题补充：
  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
初步的HEXFET ®功率MOSFET帕金森 - 从国际Rectifierutilize先进的加工技术，以achieveextremely低导通电阻每硅片面积9.1436B第五代HEXFETs 。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
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  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
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  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
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  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
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