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2013-05-23 12:21
求翻译：MIC of a-Si can be used to produce µc-Si with grains larger than those achievable either by thermal annealing of a-Si or by direct deposition of µc-Si by plasma or HW processes.If a-Si is deposited at low temperatures on substrates coated with certain metals, and then heated to a temperature >300◦C, the a-Si film can b是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
MIC of a-Si can be used to produce µc-Si with grains larger than those achievable either by thermal annealing of a-Si or by direct deposition of µc-Si by plasma or HW processes.If a-Si is deposited at low temperatures on substrates coated with certain metals, and then heated to a temperature >300◦C, the a-Si film can b
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的a-Si的MIC可以用来产生微晶硅与晶粒比任何由a-Si组成的热退火或由μC-Si的通过等离子体或HW processes.If的a-Si直接沉积那些可实现更大的沉积在低温下
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2013-05-23 12:23:18
Si MIC大于那些可达成可以用于生产与五谷的µc Si由Si热量焖火或由µc Si的直接证言由等离子或HW过程的。如果Si被放置在基体的低温涂用某些金属，然后被加热对温度>300◦C， Si影片可以被转换成µc Si。
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2013-05-23 12:24:58
MIC Si大于那些可达成可以用于生产µcSi与五谷由Si热量焖火或由µcSi的直接证言由血浆或HW过程。如果Si在基体被放置在低温涂用某些金属，然后被加热到温度>300◦C， Si影片可以被转换成µcSi。
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2013-05-23 12:26:38
MIC 的非晶硅可以用于生产单片机-Si 晶粒大于那些可以实现通过热退火非晶硅或直接沉积单片机-Si 的血浆或硬件的进程。如果某些金属涂上，然后加热到温度的衬底上的低温沉积非晶硅 > 300◦C，非晶硅薄膜可以转换为单片机 Si。
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2013-05-23 12:28:18
a-Si 的 MIC 可能用于生产？有颗粒的 c-Si 更大比那些可完成也在热气流旁边锻炼在直接沉积物旁边或 a-Si 中？由血浆或 HW processes.If a-Si 所作的 c-Si 在 substrates 以低温度被储存涂上一层利用某些金属，然后加热到一温度>300？C， a-Si 电影可以转换为？c-Si.
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