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2013-05-23 12:21
求翻译：Protection of device edges is an essential aspect of the design of high voltage semiconductor devices such as MOSFETs, IGBTs, MCTs, bipolar transistors, thyristors, and diodes. The edge protection, or edge termination structure, must perform the function of distributing the applied voltage over a wider region on the su是什么意思？ 待解决
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Protection of device edges is an essential aspect of the design of high voltage semiconductor devices such as MOSFETs, IGBTs, MCTs, bipolar transistors, thyristors, and diodes. The edge protection, or edge termination structure, must perform the function of distributing the applied voltage over a wider region on the su
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
保护装置的边缘是高压半导体器件，如晶体管， IGBT的， MCT的，双极晶体管，晶闸管和二极管的设计的一个重要方面。
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2013-05-23 12:23:18
设备边缘的保护是高压半导体装置设计的一个根本方面例如MOSFETs、IGBTs、MCTs、双极晶体管、可控硅整流器和二极管。
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2013-05-23 12:24:58
设备边缘的保护是高压半导体装置设计的一个根本方面例如MOSFETs、IGBTs、MCTs、双极晶体管、可控硅整流器和二极管。 边缘加固或者边缘终止结构，在设备的表面比它在硅体之内占领，特此保证必须执行分布应用的电压的作用在一个更宽的区域电场在表面是足够低防止形成弧光在硅体或雪崩故障之外在基体之内在它的表面附近。
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2013-05-23 12:26:38
设备边缘保护的是设计的高电压 Mosfet、 Igbt、 MCTs、 双极晶体管、 晶闸管、 和二极管等半导体器件的一个重要方面。边缘保护或边终止结构，必须执行在更广的区域设备的表面上分布应用的电压，比它在硅衬底，特此确保在表面电场足够低，以便防止电弧以外在基板上接近其表面硅基板或雪崩击穿中所占据的功能。
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2013-05-23 12:28:18
设备的保护缓缓移动是高电压半导体设备的设计的一个必要的方面例如 MOSFETs， IGBTs， MCTs，双极晶体管， thyristors，二极管。边缘保护，或超过终止结构，必须实行设备在表面上分散在一个更宽阔的地区上的应用电压的功能比它占领在硅内 substrate，藉此在表面给那担保电气领域是足够低以防止在硅外面使成弧 substrate 或雪崩其表面附近的 substrate 中的故障。
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