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2013-05-23 12:21
求翻译：the disclosure of which is incorporated herein by reference, describes a semiconductor die that comprises a heavily doped silicon substrate and an upper layer comprising doped silicon of a first conductivity type disposed in the substrate. The upper layer includes an active region that comprises a well region of a seco是什么意思？ 待解决
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the disclosure of which is incorporated herein by reference, describes a semiconductor die that comprises a heavily doped silicon substrate and an upper layer comprising doped silicon of a first conductivity type disposed in the substrate. The upper layer includes an active region that comprises a well region of a seco
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
内容在此通过引用并入本公开中，描述了包括一个重掺杂的硅衬底上，并且包括设置在所述衬底上的第一导电类型的掺杂硅的上部层上的半导体管芯。
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2013-05-23 12:23:18
由参考此中合并的透露，描述包括沉重被掺杂的硅体和在基体配置的上层的包括的被掺杂的硅第一个传导性类型的一个半导体死。
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2013-05-23 12:24:58
透露，其中由参考此中合并，描述包括沉重被掺杂的硅体和在基体配置的上层的包括的被掺杂的硅第一个传导性类型的一个半导体模子。 上层包括包括一个好的区域二的一个活跃区域，相反传导性类型和一个边缘包括包括延伸和 (延伸) 在好的区域之下的部分的连接点终止引伸JTE地区的终止区域。 JTE地区是变化的掺杂物密度，掺杂物密度是最大在点在连接点之下在上面上层JTE地区以好的区域。 JTE地区的掺杂物密度在两个侧向方向减少从它的最大点。
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2013-05-23 12:26:38
其披露，通过引用并入本合同内，介绍了包括重掺的硅衬底和上层组成第一电导率类型在基体中释放的掺杂的硅半导体模具。上层包括包括井区域的第二次在对面导电类型和边缘终止区，包括包含部分远离扩展和延伸下井区的交界处终止扩展名 （JTE） 区域活动区域。JTE 区域是上层的不同掺杂密度，是上层的最大的点，在交叉路口处，上部表面下面 JTE 地区与井区的掺杂密度。JTE 区域的掺杂密度减少在两个外侧方向从其最大的点。
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2013-05-23 12:28:18
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