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2013-05-23 12:21
求翻译：One embodiment is directed to a semiconductor device comprising a doped semiconductor substrate and an upper layer comprising doped semiconductor material of a first conductivity type disposed on the substrate. The upper layer comprises an upper surface and includes an active region with a well region of a second, oppo是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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One embodiment is directed to a semiconductor device comprising a doped semiconductor substrate and an upper layer comprising doped semiconductor material of a first conductivity type disposed on the substrate. The upper layer comprises an upper surface and includes an active region with a well region of a second, oppo
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
一个实施方案涉及包括掺杂的半导体衬底和含有掺杂半导体布置在所述基板上的第一导电类型的材料的上部层的半导体器件。
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2013-05-23 12:23:18
一具体化被指挥到包括一个被掺杂的半导体基体和在基体配置的上层的包括的被掺杂的半导体材料的半导体装置第一个传导性类型。上层包括一个上面并且包括与一个好的区域的第二，相反传导性类型和包括一个连接点终止引伸的边缘终止区域的一个活跃区域(JTE)区域第二个传导性类型。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
一个体现被针对半导体器件组成的掺杂的半导体基板和组成掺杂的半导体材料的基板上处置第一电导率类型的上层。上层由上部表面组成，并包括与第二次在导电类型和包括交界处终止扩展 (JTE) 区域的第二个导电类型边缘终止区对面井地区的活跃地区。JTE 地区包括部分离井区扩展。场限环的第二次的电导率类型的数目被弃置在交界处终止扩展区域上部表面。
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2013-05-23 12:28:18
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