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2013-05-23 12:21
求翻译：It has an absorption peak at around 269 nm, the spectrum absorption is shifted to much high energy (~4.8 eV) compared to that of bulk NiS (~2.1 eV) [31]. Similar phenomena were also observed by Hu et al [32]. This remarkable blue-shift (about 2.7 eV) can probably be attributed to the small dimensions or well-ordered ar是什么意思？ 待解决
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It has an absorption peak at around 269 nm, the spectrum absorption is shifted to much high energy (~4.8 eV) compared to that of bulk NiS (~2.1 eV) [31]. Similar phenomena were also observed by Hu et al [32]. This remarkable blue-shift (about 2.7 eV) can probably be attributed to the small dimensions or well-ordered ar
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
它具有吸收峰在约269纳米，在光谱吸收被移动到高得多的能量（〜 4.8 eV）的相比，散装的NiS （〜 2.1 eV）的[31]。
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2013-05-23 12:23:18
它有吸收峰在269毫微米前后，光谱吸收被转移到高能(~4.8 eV)与那大块比较NiS (~2.1 eV) [31]。相似的现象由虎队等[32]也观察。这个卓越的青转移(大约2.7 eV)可能大概归因于NiS墙壁[31的]小维度或秩序井然一些。大块NiS是与一个直接带空白的一个无机半导体。
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2013-05-23 12:24:58
它有吸收峰在269毫微米前后，光谱吸收被转移到高能 (~4.8 eV) 与那大块NiS (~2.1 eV比较) (31)。 相似的现象由Hu等32也 (观察)。 这卓越蓝色转移 (eV可能) 大概归因于NiS墙壁31的小维度或秩序井然一些的大约 (2.7)。 大块NiS是一个无机半导体以一个直接带空白。 带空白为二个阶段NiS可以由剧情αh (估计) 2对h (α =吸光度、h = Planck的常数，和=频率) (33)，显示作为插页在。 4.
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2013-05-23 12:26:38
它有吸收峰在约 269 nm，光谱吸收转移到更高的能量 (~4.8 eV） 相比，批量 NiS (~2.1 eV) [31]。类似的现象也观察到由胡 et al [32]。此卓越蓝移 (约 2.7 eV) 大概可以归因于小尺寸或 NiS 墙 [31] 的有序的数组。大容量 NiS 是直接带隙无机半导体。带隙的 NiS 的两个阶段可以由一个阴谋 (αh) 2 h 与估计 (α = 吸光度，h = 普朗克常数，和 = 频率） [33]，嵌入在图 4 中所示。
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2013-05-23 12:28:18
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