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2013-05-23 12:21
求翻译：Figure1apresents various Cd content of ZnCdO layers grown at various substrate temperature180– 600 ° C. The Cd content decreases orderly with increasing substrate temperature. Experimentally, we can modify the Cd percentage of the Zn1−xCdxO film through controlling the substrate temperature. Due to substantially re是什么意思？ 待解决
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Figure1apresents various Cd content of ZnCdO layers grown at various substrate temperature180– 600 ° C. The Cd content decreases orderly with increasing substrate temperature. Experimentally, we can modify the Cd percentage of the Zn1−xCdxO film through controlling the substrate temperature. Due to substantially re
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
图1给出一个在不同衬底温度下生长ZnCdO层的各种Cd含量180 - ？ 600℃ ？
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
Figure1 提出ZnCdO层各种各样的CD的内容增长在各种各样的基体温度 180 - 600 ° C 。 随着基体温度的增加， CD的内容减少勤务兵。 实验性地，我们可以通过控制基体温度修改Zn1−xCdxO影片的CD的百分比。 由于CD，富有CD的成长情况的极大地减少的解吸附作用率在低温基体倾向。 在这个实验，在180 ° C基体增长的ZnCdO影片最大CD的内容是由大约8.7决定在。 没有CdO分相的%，大于热力学坚实可溶性极限 2显着。 然而% .22， CD的内容在被熔合的影片低于那些在目标，由于在Cd汽压和锌之间的区别。 我们这里需要提及CD的内容的进一步增加在Z
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2013-05-23 12:26:38
图 1 一个礼物各种 Cd 内容的 ZnCdO 层种植在不同衬底温度 180 — — 600 ° C。Cd 内容减少基板温度的增加与有序。通过实验，我们可以修改 Zn1−xCdxO 电影通过控制衬底温度的 Cd 百分比。因极大地减少解吸率的 Cd，Cd 富生长条件青睐低温度基质中。在这个实验中，ZnCdO 180 ° C 衬底上薄膜的最大 Cd 内容是在约 8.7。%无 CdO 相分离，这是明显大于热力学固体溶解度限制在 2。%.22 合金薄膜中的 Cd 内容却远远低于目标，裁谈会的 vapor pressures 和锌之间的差异。在这里我们需要提及的 ZnCdO 电影中的 Cd 内容进一步增
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2013-05-23 12:28:18
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