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2013-05-23 12:21
求翻译： For lower Cd contentFigs.3c and 3d, emission from well layer dominates in the PL spectrum and emission from the defects and barriers are extremely weak, which implies that the perfectly smooth interfaces between well and barrier layer have been achieved in this SQW. Thus, most photon-generated carriers in the Zn是什么意思？ 待解决
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For lower Cd contentFigs.3c and 3d, emission from well layer dominates in the PL spectrum and emission from the defects and barriers are extremely weak, which implies that the perfectly smooth interfaces between well and barrier layer have been achieved in this SQW. Thus, most photon-generated carriers in the Zn
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
对于较低的Cd含量图3至图4 C ？
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
为更低的CD的美满的 Figs.3 c 和3 d ，放射从好的层数在PL光谱控制，并且放射从瑕疵和障碍是极端微弱的，暗示完全光滑的接口之间很好和障碍层在这SQW达到了。 因此，多数光子引起的载体在ZnO障碍水平放松入ZnCdO好的水平，导致强的放射从好的层数。 另一方面，低温宽度这QW放射是一样小的象48兆伏特。 这价值在飞机青玉基体增长的可比较的结构QWs大约三次小于由分子束外延。 更加宽广的PL行距从更加高级的Cd SQW起因于不同类扩展由于更大的构成波动和被贬低的好的层数质量和接口。 如上所述， CdO假设岩石盐结构，与ZnO不同纤锌矿结构。 更高的CD的内容井层成长以高水
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2013-05-23 12:26:38
为降低 Cd 内容 Figs.3 c 和 3 d，从井层排放占主导地位在 PL 光谱和排放的缺陷和障碍是极其薄弱，这意味着此监察部取得了井和屏障层之间非常光滑的接口。因此，大多数的光子产生的运营商 ZnO 屏障级别中入 ZnCdO 井水平，放松身心，从井层导致强排放。另一方面，这 QW 排放的低温宽度是 48 meV 尽可能小。此值是小于 QWs 分子束外延生长 a 面蓝宝石衬底上的可比性结构的三倍左右。更广泛的 PL 线宽从较高的 Cd 监察部从非均匀扩大组成波动较大的结果和好退化层质量和接口。如上文所述，CdO 假定的盐岩结构、 不同的氧化锌的纤锌矿结构。增长的高 Cd 内容是相当困难的井
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2013-05-23 12:28:18
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