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2013-05-23 12:21
求翻译：The InGaN films were deposited on the commercial (0001) p-GaN wafers on sapphire substrates by radiofrequency plasma-assisted MBE (SVTA35-V-2). 7 N Ga and 6 N In were used as the source materials. 6 N nitrogen was further purified through a gas purifier and then introduced into a plasma generator.18Afterward, the ZnO f是什么意思？ 待解决
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The InGaN films were deposited on the commercial (0001) p-GaN wafers on sapphire substrates by radiofrequency plasma-assisted MBE (SVTA35-V-2). 7 N Ga and 6 N In were used as the source materials. 6 N nitrogen was further purified through a gas purifier and then introduced into a plasma generator.18Afterward, the ZnO f
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
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2013-05-23 12:23:18
InGaN影片在青玉基体的商业(0001个) p淦薄酥饼被放置了由射频由等离子协助的MBE (SVTA35-V-2)。7 N Ga和6 N使用了作为参考来源资料。6个N氮气通过煤气净化器进一步被净化了然后介绍入等离子generator.18Afterward， ZnO影片在thep淦被放置了有和没有在200 Cby ALD (Beneq TSF-200)的InGaN。二乙基锌(DEZn)和被去离子的水(H2O)使用了作为锌和氧气的来源，分别。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
氮化铟镓薄膜在商业 （0001） p 型氮化镓晶片蓝宝石衬底上沉积了由射频等离子体辅助分子束外延 （SVTA35-V-2）。7 N Ga 和 6 N 在被用作源材料。6 N 氮是通过气体净化器进一步纯化，然后引入到血浆 generator.18Afterward，在 thep-甘与无氮化铟镓在 200 Cby ALD （倍耐克 TSF 200） 上沉积 ZnO 薄膜。二乙基锌 （简写为 DEZn） 和去离子的水 （H2O） 分别用作为锌和氧气的来源。ALD 过程包括 4000 相同的周期，每个包含以下序列： 简写为 DEZn，0.2 s — — N2purge，1 s — — H2O，0.2
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2013-05-23 12:28:18
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