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2013-05-23 12:21
求翻译：Abstract : A copper chemical mechanical polishing ( Cu CMP ) process 15 reviewed and analyzed from the view of chemical physics . Three steps Cu CMP process modeling 15 set up based on the actual process of manufacturing and pattern 一density 一step 一height ( PDSH ) modeling from MIT . TO catch the pattern dependency , a是什么意思？ 待解决
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Abstract : A copper chemical mechanical polishing ( Cu CMP ) process 15 reviewed and analyzed from the view of chemical physics . Three steps Cu CMP process modeling 15 set up based on the actual process of manufacturing and pattern 一density 一step 一height ( PDSH ) modeling from MIT . TO catch the pattern dependency , a
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
摘要：铜化学机械抛光（铜CMP）工艺15化学物理学的角度回顾和分析。
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2013-05-23 12:23:18
摘要：一个铜化工机械擦亮的(古芝CMP)过程15从化工物理看法回顾了并且分析了。三步古芝CMP被设定的处理塑造的15基于实际制造过程和样式一密度一步塑造从MIT的一高度(PDSH)。要捉住样式附庸， 65毫微米测试芯片15在铸造厂设计并且处理了。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
摘要： 一个铜化学机械抛光 （铜 CMP） 过程 15 审查和从化学物理学的角度分析了。三个步骤铜 CMP 过程建模 15 集了基于实际的制造和模式一density 一step 一height （PDSH） 从麻省理工学院建模过程。要赶上模式依赖项，65 纳米测试芯片 15 设计以及在铸造中处理。下列模型参数提取过程，模型参数提取和验证测试数据从 65 纳米测试芯片。成功的模型预测结果和试验数据表明前者具有变化趋势相同，后者，最大偏差小于 5 的 15 毫微米之间的比较结果。第三方测试数据提供了进一步的证据来支持大性能 ofmodel 参数 optirnization。因为精确 CMP 过程建
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2013-05-23 12:28:18
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