求翻译：we demonstrated the formation of SiC MOS interface with reduced interface state density simply by the control of thermal oxidation conditions是什么意思？

待解决

悬赏分：1 - 离问题结束还有

we demonstrated the formation of SiC MOS interface with reduced interface state density simply by the control of thermal oxidation conditions

问题补充：

匿名	2013-05-23 12:21:38 我们表明碳化硅MOS界面具有降低界面态密度的形成仅通过热氧化条件的控制

匿名	2013-05-23 12:23:18 我们由热量氧化作用情况控制展示了SiC与减少的接口表示密度的MOS接口的形成

匿名	2013-05-23 12:24:58 我们由热量氧化作用情况控制简单地展示了SiC MOS接口的形成以减少的接口表示密度

匿名	2013-05-23 12:26:38 我们表现出 SiC MOS 界面的形成与减少的界面态密度仅仅通过热氧化条件的控制

匿名	2013-05-23 12:28:18 我们仅演示 SiC MOS 界面有被减少的界面州密度的编队按对热氧化条件的控制

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