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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:The complex permittivities and reflection loss of Ti3SiC2 samples were determined in the frequency range of 8.2–12.4 GHz. It was found that 2% Al-doped sample showed the greatest values in the real part e0 and imaginary part e00 of complex permittivity and the better reflection loss with an absorbing thickness of 是什么意思?

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The complex permittivities and reflection loss of Ti3SiC2 samples were determined in the frequency range of 8.2–12.4 GHz. It was found that 2% Al-doped sample showed the greatest values in the real part e0 and imaginary part e00 of complex permittivity and the better reflection loss with an absorbing thickness of
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
复杂的介电常数和反射损耗钛碳化硅样品进行在8.2-12.4 GHz的频率范围内确定。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
Ti3SiC2样品复杂电容率和反射损失是确定在8.2-12.4 GHz的频率范围。发现2% Al被掺杂的样品在实部e0和复杂电容率的虚构部分e00和与2.1 mm的一种引人入胜的厚度的更好的反射损失显示了很大的价值。介电损失机制通过Al掺杂被谈论了。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
Ti3SiC2样品复杂电容率和反射损失是 确定在8.2-12.4千兆赫的频率范围。 它被发现2% Al被掺杂的样品在真正的部分e0和复杂电容率的虚构部分e00和更好的反射损失显示了最了不起的价值以2.1毫米的一种引人入胜的厚度。 介电损失机制通过Al掺杂被谈论了。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
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  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
复杂 permittivities 和 Ti3SiC2 的反映损失采样是在频率系列 8.2-12.4 GHz 中被确定的 。是 发现 2% 的 Al-doped 例子显示最大实际部分中的值 e0 和想象的部分复杂 permittivity 的 e00 和有 2.1 毫米的吸收厚度的更好的反映损失。由 Al 所作的 绝缘材料损失的机制用药物刺激讨论。
 
 
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