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2013-05-23 12:21
求翻译：In a solid state,and in particular in semiconducting ceramics, inhomogeneity factors, including microstructure,distributed grain sizes, the difference of magnetic or electric states between grain and grain boundary, even have a greater effect on the I-V behaviour than those coming from the homogeneous volume of the gra是什么意思？ 待解决
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In a solid state,and in particular in semiconducting ceramics, inhomogeneity factors, including microstructure,distributed grain sizes, the difference of magnetic or electric states between grain and grain boundary, even have a greater effect on the I-V behaviour than those coming from the homogeneous volume of the gra
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在固体状态，并特别是在半导体陶瓷，不均匀性的因素，包括微结构，分布式晶粒尺寸，晶粒与晶界之间的磁或电状态的差，甚至有比所述第四行为从均相未来更大的效果
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2013-05-23 12:23:18
在一固体和特别是在半导体的陶瓷，多相性析因，包括微结构，分布的粒度，区别磁性或在五谷和晶界之间的电状态，比来自五谷的同类的容量的那些甚而有对IV行为的更加了不起的作用，由于阻抗障碍的形成在晶界
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2013-05-23 12:24:58
在固态和特别是在半导体的陶瓷，多相性析因，包括微结构，分布的粒度，区别磁性或电状态在五谷和晶界之间，比来自五谷的同类的容量的那些甚而有一个更加了不起的作用在I-V行为，由于阻抗障碍的形成在晶界
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2013-05-23 12:26:38
在固体状态下，和特别是在半导体陶瓷，不均匀性的因素，包括微观结构、 分布式的磁性差异晶粒尺寸或电国家之间晶粒、 晶界，甚至有对-V 行为的影响大于那些来自谷物，由于一种阻抗的障碍，在晶界形成均匀体积
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2013-05-23 12:28:18
在一种固态中，尤其在半进行陶艺方面，非齐次性因素，包括微型结构，分散谷的大小，谷和谷的边界之间的磁或者电气州的区别，甚至对 I-V 行为有更大的影响比那些来自颗粒的相似的卷，由于谷的边界的一个阻抗障碍的构成
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