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2013-05-23 12:21
求翻译：In the semiconductor pn junction, P area of the hole due to diffusion and moved to the N zone, N zone of the electron diffusion into the P region, forming a barrier in the PN junction, thus inhibiting the hole and electron continues to spread. PN junction barrier lowering when a positive voltage, electron injection fro是什么意思？ 待解决
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In the semiconductor pn junction, P area of the hole due to diffusion and moved to the N zone, N zone of the electron diffusion into the P region, forming a barrier in the PN junction, thus inhibiting the hole and electron continues to spread. PN junction barrier lowering when a positive voltage, electron injection fro
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在半导体pn结，所述孔的P区因扩散而移动到N个区中，电子扩散进入P区N个区，形成在PN结的势垒，从而抑制空穴和电子继续传播。
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2013-05-23 12:23:18
在半导体pn连接点，孔的P地区由于扩散和搬到N区域，电子扩散的N区域入P地区，形成障碍在PN连接点，因而禁止孔和电子继续传播。PN降下的结势垒，当正面电压，从N地区的电子射入，对P区域，由孔的P区域被注射入N地区，叫作少数载流子射入
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2013-05-23 12:24:58
在半导体pn连接点，孔的P地区由于扩散和移动向N区域，电子扩散的N区域入P地区，形成障碍在PN连接点，因而禁止孔和电子继续传播。 PN结势垒降下，当正面电压，电子射入从N地区，到P区域， P区域由孔被注射入N地区，以少数载流子射入著名
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2013-05-23 12:26:38
在半导体 pn 结，P 区的孔归功于扩散了，搬到 N 区，N 区的电子扩散到 P 区，在 PN 结，从而抑制了电子和孔形成屏障继续蔓延。PN 结势垒降低时的正向电压、 电子注入 N 区，从到 P 区，P 区的孔注入 N 区，称为少数载流子注入
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2013-05-23 12:28:18
在半导体皮特克恩岛汇合处，由于散布的孔的 P 地区和搬到 N 区域，进到 P 地区电子散布的 N 区域，在皮特克恩岛汇合处形成一个障碍，因此抑制孔和电子继续扩散。皮特克恩岛汇合处障碍放下当肯定的电压，来自 N 地区的电子注射，到 P 区域，在孔旁边的 P 区域被注入 N 地区，称为少数承运人注射
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