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2013-05-23 12:21
求翻译：Semiconductor PN junction, and p-holes due to the spread of mobile to n, n-electrons diffuse into the p region, formed at the PN junction barrier, thus inhibiting the continued proliferation of holes and electrons. When on PN junction forward voltage is applied, and potential barrier reduced electrons from n into p and是什么意思？ 待解决
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Semiconductor PN junction, and p-holes due to the spread of mobile to n, n-electrons diffuse into the p region, formed at the PN junction barrier, thus inhibiting the continued proliferation of holes and electrons. When on PN junction forward voltage is applied, and potential barrier reduced electrons from n into p and
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
半导体PN结，以及P-孔由于移动的蔓延到n ，正电子扩散进p区，形成在所述PN结势垒，从而抑制空穴和电子的持续扩散。
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2013-05-23 12:23:18
半导体PN连接点和p孔由于机动性传播对n， n电子散开入p区域，被形成在PN结势垒，因而禁止孔和电子的持续的扩散。当在PN连接点正向电压是应用和位垒从n的减少的电子入p和空子注射从p到n时，叫少数载流子射入
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2013-05-23 12:24:58
半导体PN连接点和p孔由于机动性传播到n， n电子散开入p区域，被形成在PN结势垒，因而禁止孔和电子的持续的扩散。 当在PN连接点正向电压是应用和位垒减少的电子从n入p和空子注射从p到n时，叫少数载流子射入
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2013-05-23 12:26:38
半导体 PN 结和 p-孔扩散移动到 n，n 电子扩散到 p 区，形成于 PN 结势垒，从而抑制的空穴和电子的继续的扩散。当在 PN 结正向电压，和势垒降低电子从 n n p 和孔注射入时，称为少数载流子注入
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2013-05-23 12:28:18
半导体皮特克恩岛汇合处，由于到 n 的手机的扩张的 p-holes， n-electrons 到在皮特克恩岛汇合处障碍被形成，因此抑制孔和电子的持续的激增的 p 地区中散播。在皮特克恩岛汇合处前面的电压被应用时，潜在障碍从进到 p 的 n 减少电子和打洞于注射从 p 到 n，叫少数承运人注射
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