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2013-05-23 12:21
求翻译：The volt ampere characteristic in different illumination of the photosensitive triode base current, output characteristics under different time as general transistor. Therefore, as long as the incident light in the vicinity of the PN junction emitter E and base between B, light current as the base current can be genera是什么意思？ 待解决
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The volt ampere characteristic in different illumination of the photosensitive triode base current, output characteristics under different time as general transistor. Therefore, as long as the incident light in the vicinity of the PN junction emitter E and base between B, light current as the base current can be genera
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的伏安特性不同光照光敏三极管基极电流，在不同的时间，一般的晶体管输出特性。
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2013-05-23 12:23:18
典型伏特的安培在光敏三极管基极电流的另外照明，在另外时间下的输出特性作为一般晶体管。所以，只要在PN连接点放射器E附近的在B之间的入射光和基地，轻的潮流作为基极电流可以引起，作为将军的光敏三极管晶体管。光敏三极管可能放光信号入电
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2013-05-23 12:24:58
伏特安培典型在光敏三极管基地潮流的另外照明，输出特性在另外时间之下作为一般晶体管。 所以，只要入射光在PN连接点放射器E附近和基地在B之间，轻的潮流，基本的潮流可以引起，光敏三极管晶体管作为将军。 光敏三极管可能放光信号入电
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2013-05-23 12:26:38
伏特安培特征在不同光照条件下的光敏三极管基极电流，根据不同的时间，作为一般晶体管的输出特性。因此，只要入射光 PN 结发射器 E 和 B，光电流之间的基地附近，可以生成基极电流，光敏三极管作为一名将军。光敏三极管可以把光信号到电气
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2013-05-23 12:28:18
在感光 triode 基础流的不同阐明中的伏特的安培特征，在不同时间下输出特征作为一般晶体管。因此，在皮特克恩岛汇合处射极的附近的长达入射光 E 和当中设立 B，浅的流当基本流可以被生成，感光 triode 晶体管作为一名将军。感光三极检波管可以提出轻的信号进入电
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