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2013-05-23 12:21
求翻译：a simple protection circuit was described that allowed compliance to issue 5 of DEF STAN 61-5 part 6 and also MIL STD-1275 compliance. A modified version of this circuit can be used to meet the current DEF STAN 61-5 part 6 issue 6 and some of the DEF STAN 59-411 requirements, provided an appropriate transient protectio是什么意思？ 待解决
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a simple protection circuit was described that allowed compliance to issue 5 of DEF STAN 61-5 part 6 and also MIL STD-1275 compliance. A modified version of this circuit can be used to meet the current DEF STAN 61-5 part 6 issue 6 and some of the DEF STAN 59-411 requirements, provided an appropriate transient protectio
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
一个简单的保护电路描述，允许符合发行DEF STAN 61-5第6部分5也MIL STD- 1275符合。
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2013-05-23 12:23:18
允许服从发布5 DEF斯坦61-5第6部分并且米尔STD-1275服从的一个简单的保护电路被描述了。假设适当的瞬变保护和电磁干扰滤波器模块在它以后，被安置这条电路的修改版本可以用于遇见DEF斯坦的现期DEF斯坦61-5第6部分刊物6和一些59-411个要求。
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2013-05-23 12:24:58
允许服从对DEF STAN 61-5第6部分并且米尔STD-1275服从的问题5的一个简单的保护电路被描述了。 假设适当的瞬变保护和电磁干扰滤波器模块在它以后，被安置这条电路的一个修改过的版本可以用于遇见DEF STAN 59-411要求的现期DEF STAN 61-5第6部分刊物6和一些。 这在主要瞬变保护MOSFET也帮助减少重音，增加整体浪涌能量处理，以便更高的操作温度可以达到。 即使如此，与大可靠的SOA (安全操作区域)需要MOSFET。 IXYS IXTK60N50L2 (使用的更旧的MOSFET几何， Q1)似乎符合这些要求。(请注意更新的沟槽FET设备不可能是适当的。)
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2013-05-23 12:26:38
介绍了一种简单的保护电路，允许法规遵从性到 DEF 斯坦 61年 5 第 6 部分的第五期和还 MIL STD-1275年法规遵从性。修改后的版本的这种电路可用于满足当前 DEF 斯坦 61年 5 第 6 部分问题 6 和一些 DEF 斯坦 59 411 要求，提供适当的暂态保护和电磁干扰滤波模块放置在它以后。这也有助于减少对主要的暂态保护 MOSFET，增加整体浪涌能量处理从而达到更高的操作温度应力。即便如此，MOSFET 与大型的可靠 SOA （安全作业区） 是必需的。IXYS IXTK60N50L2 （它使用较旧的 MOSFET 几何，Q1） 似乎符合这些要求。 （请注意更新海沟 fet
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2013-05-23 12:28:18
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