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2013-05-23 12:21
求翻译：On the basis of the in-plane lattice parameters of graphene, AlN and GaN , the in-plane lattice mismatch between AlN or GaN and graphene can be significant (Fig. 1.a and b, respectively).是什么意思？ 待解决
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On the basis of the in-plane lattice parameters of graphene, AlN and GaN , the in-plane lattice mismatch between AlN or GaN and graphene can be significant (Fig. 1.a and b, respectively).
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
上的石墨烯，的AlN和GaN ， AlN或GaN和石墨烯之间的面内晶格失配的面内晶格参数的基础可以是显著（图1.A和b ，分别）。
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2013-05-23 12:23:18
根据graphene的飞机格子参量， AlN和淦， AlN之间的飞机格子配错或淦和graphene可以是重大的(图1.a和b，分别)。
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2013-05-23 12:24:58
根据graphene的在飞机格子参量、AlN和GaN， AlN之间的在飞机格子配错或GaN和graphene可以是重大的 (。 1.a和b，分别)。
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2013-05-23 12:26:38
根据飞机在晶格参数与石墨烯，氮化铝和氮化镓，氮化铝或甘与石墨之间的平面晶格失配可显著 （图 1.a 和 b，分别）。
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2013-05-23 12:28:18
在 graphene， AlN 和 GaN 的飞机内的格子架参数的基础上， AlN 或 GaN 和 graphene 之间的飞机内的格子架错配可能是重要的 ( 无花果。1.a 和 b，分别地 )。
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