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2013-05-23 12:21
求翻译：In fact, the strong temperature dependence of n may indicate that the charge carriers have been tightly trapped in impurity levels, and finite temperatures are required to excite them. Similar phenomenon has been observed in lightly electron-doped silicon . It is possible that the strong disorder resulted from lattice是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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In fact, the strong temperature dependence of n may indicate that the charge carriers have been tightly trapped in impurity levels, and finite temperatures are required to excite them. Similar phenomenon has been observed in lightly electron-doped silicon . It is possible that the strong disorder resulted from lattice
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
实际上， n的强温度依赖性可以指示该电荷载体已被紧紧被困在杂质含量，和有限的温度是必需的，以激发他们。
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2013-05-23 12:23:18
实际上， n强的温度依赖性也许表明载流子在不纯度紧紧被困住，并且有限温度要求激发他们。相似的现象在电子轻地被掺杂的硅被观察了。是可能的强的混乱起因于晶体缺陷作为载流子诱捕中心。
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2013-05-23 12:24:58
实际上， n强的温度依赖性也许表明电荷载流子在不纯度紧紧被困住，并且要求有限温度激发他们。 相似的现象在电子轻微被掺杂的硅被观察了。 它是可能的强的混乱起因于晶体缺陷行动当电荷载流子诱捕中心。
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2013-05-23 12:26:38
事实上，n 强的温度依赖性可能表明电荷载流子被紧紧困在杂质的水平，并且有限温度下需要激发他们。类似现象在轻轻电子掺杂硅。这种强无序引起晶格缺陷俘获中心对电荷载流子的行为。
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2013-05-23 12:28:18
实际上， n 的强温度依赖可能表示费用承运人紧密在不纯水平被围困了，限定的温度被要求使他们激动。类似现象观察了在轻轻地电子用药物刺激的硅 。可能强混乱由于格子架变节为费用承运人作为围困夹心。
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