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  • 匿名
关注：1 2013-05-23 12:21

求翻译：Similar phenomenon has been observed in lightly electron-doped silicon . It is possible that the strong disorder resulted from lattice defects acts as trapping centers for charge carriers.是什么意思？

待解决 悬赏分：1 - 离问题结束还有
Similar phenomenon has been observed in lightly electron-doped silicon . It is possible that the strong disorder resulted from lattice defects acts as trapping centers for charge carriers.
问题补充：
  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
类似现象在轻电子的掺杂硅被观察到。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
相似的现象在电子轻微被掺杂的硅被观察了。 它是可能的强的混乱起因于晶体缺陷行动当电荷载流子诱捕中心。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
类似现象在轻轻电子掺杂硅。这种强无序引起晶格缺陷俘获中心对电荷载流子的行为。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
类似现象观察了在轻轻地电子用药物刺激的硅 。可能强混乱由于格子架变节为费用承运人作为围困夹心。
 
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