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2013-05-23 12:21
求翻译：From Fig. 1a one obtains n=25 for dc sputtering — there are only insignificant changes of bias with power. For rf sputtering there is n=1. As a result, at 100 W rf-power the bias is as low as 83 V. One must keep in mind that for low ion energies approaching the sputter threshold there is a strong decay of the sputter y是什么意思？ 待解决
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From Fig. 1a one obtains n=25 for dc sputtering — there are only insignificant changes of bias with power. For rf sputtering there is n=1. As a result, at 100 W rf-power the bias is as low as 83 V. One must keep in mind that for low ion energies approaching the sputter threshold there is a strong decay of the sputter y
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
从图。
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2013-05-23 12:23:18
从图1a一个获得dc飞溅的n=25 —有偏心的仅无意义变动与力量的。结果对于rf飞溅那里是n=1.，在偏心是一样低的象83 V.的100个W rf力量。一个人必须记住低离子能量的接近那里飞溅门限是飞溅出产量的强的朽烂。
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2013-05-23 12:24:58
从。 1a你获得n=25为dc飞溅-有偏心的仅无意义变动以力量。 为rf飞溅那里是n=1。 结果，在100 W rf力量偏心是一样低的象83 V。 你必须记住为低离子能量接近那里飞溅门限是飞溅出产量的强的朽烂。
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2013-05-23 12:26:38
从图 1a 获得 n = 25 为直流溅射 — — 有偏见与功率的变化是微不足道。射频溅射法制备有为 n = 1。其结果是，在 100 W 射频功率偏低至 83 V。一个必须牢记是溅射产量强耐腐，低离子能量接近溅射阈值。
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2013-05-23 12:28:18
从无花果。1a 一个获取 n = 喷溅的 dc 的 25 - 以力量有偏见的仅无关紧要的变化。对喷溅的 rf 有 n = 1。因此，在 100 W rf 力量偏见是低达 83 V.One 必须记住，对靠近喷溅出的唾沫阈值的低离子能量有喷溅出的唾沫产量的强衰退。
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