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2013-05-23 12:21
求翻译：In the case of PAP was applied to a 4H-SiC-Si face, an oxide layer (SiO2) was generated after plasma irradiation and it was removed by polishing using soft abrasives. In this way, a damage-free and atomically-flat 4H-SiC-Si face could be obtained. In this study, soft abrasive polishing (CeO2) of a plasma-oxidized SiC-S是什么意思？ 待解决
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In the case of PAP was applied to a 4H-SiC-Si face, an oxide layer (SiO2) was generated after plasma irradiation and it was removed by polishing using soft abrasives. In this way, a damage-free and atomically-flat 4H-SiC-Si face could be obtained. In this study, soft abrasive polishing (CeO2) of a plasma-oxidized SiC-S
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在PAP的情况下被施加到的4H-SiC - Si面，等离子照射后产生的氧化物层（二氧化硅），并除去通过使用软磨料抛光。
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2013-05-23 12:23:18
在PAP情况下被申请了于4H SiC Si面孔，使用软的研磨剂，在等离子辐照区域和它以后引起了擦亮去除氧化物层数(SiO2)。这样，一张无损和原子平的4H SiC Si面孔能获得。在这项研究中，软绵绵地擦亮(CeO2)一张等离子被氧化的SiC Si面孔和一张热量地被氧化的SicC面孔的研磨剂分别被举办了。
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2013-05-23 12:24:58
在PAP情况下被申请了于4H SiCSi面孔，氧化物层数 (SiO2) 在血浆辐照区域以后引起了，并且擦亮去除它使用软的研磨剂。 这样，一张无损和原子平的4H SiCSi面孔能获得。 在这项研究，软绵绵地一张血浆被氧化的 (SiCSi) 面孔和一张热量地被氧化的SiC-C面孔的磨蚀擦亮的CeO2分别被举办了。 一个秩序井然one-bilayer步大阳台结构的世代在两个polished Si面孔和C面孔由原子力量显微学AFM (证实)。 然而，由于高温度热量氧化作用，许多坑在SiC-C面孔引起了在擦亮以后。
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2013-05-23 12:26:38
在 PAP 适用于 4 H-碳化硅-硅脸、 等离子体辐照后生成的氧化层 (SiO2) 和它被删除抛光使用软磨料磨具。在这种方式，可以获得无损伤和原子级平整的 4 H-碳化硅-硅脸。在此研究中，分别进行了软磨料抛光 (CeO2) 等离子体氧化的 SiC 寺脸和热氧化的 SiC C 面。良序的一双层步阶结构对抛光的硅脸和 C 面代证实了原子力显微镜 （AFM）。然而，因热氧化温度高，许多坑被上生成碳化硅 C 面抛光后。
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2013-05-23 12:28:18
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