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2013-05-23 12:21
求翻译：In this way, a damage-free and atomically-flat 4H-SiC-Si face could be obtained. In this study, soft abrasive polishing (CeO2) of a plasma-oxidized SiC-Si face and a thermally oxidized SiC-C face was respectively conducted. The generation of a well-ordered one-bilayer step-terrace structure on both of the polished Si f是什么意思？ 待解决
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In this way, a damage-free and atomically-flat 4H-SiC-Si face could be obtained. In this study, soft abrasive polishing (CeO2) of a plasma-oxidized SiC-Si face and a thermally oxidized SiC-C face was respectively conducted. The generation of a well-ordered one-bilayer step-terrace structure on both of the polished Si f
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
以这种方式，可以得到一个无损伤和原子平坦的4H-SiC - Si面。
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2013-05-23 12:23:18
这样，一张无损和原子平的4H SiC Si面孔能获得。在这项研究中，软绵绵地擦亮(CeO2)一张等离子被氧化的SiC Si面孔和一张热量地被氧化的SicC面孔的研磨剂分别被举办了。一个秩序井然one-bilayer步大阳台结构的一代在两个的优美的Si面孔和C面孔由原子力量显微学(AFM)证实。然而，由于高温热量氧化作用，许多坑在SicC面孔引起了在擦亮以后。
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2013-05-23 12:24:58
这样，一张无损和原子平的4H SiCSi面孔能获得。 在这项研究，软绵绵地一张血浆被氧化的 (SiCSi) 面孔和一张热量地被氧化的SiC-C面孔的磨蚀擦亮的CeO2分别被举办了。 一个秩序井然one-bilayer步大阳台结构的世代在两个polished Si面孔和C面孔由原子力量显微学AFM (证实)。 然而，由于高温度热量氧化作用，许多坑在SiC-C面孔引起了在擦亮以后。
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2013-05-23 12:26:38
在这种方式，可以获得无损伤和原子级平整的 4 H-碳化硅-硅脸。在此研究中，分别进行了软磨料抛光 (CeO2) 等离子体氧化的 SiC 寺脸和热氧化的 SiC C 面。良序的一双层步阶结构对抛光的硅脸和 C 面代证实了原子力显微镜 （AFM）。然而，因热氧化温度高，许多坑被上生成碳化硅 C 面抛光后。
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2013-05-23 12:28:18
因此，无损害和利用原子能淡而无味 4H 电容率-Si 的面子可以被获取。在这项研究中，擦亮的软的磨料 ( CeO2 ) 一张血浆使氧化电容率-Si 的脸和一张热地氧化的 SiC-C 脸中分别地被召开。一种好地订购一个双分子层继叠层式的结构的一代上两个擦亮 Si 面对和 C 面对被原子的力量显微镜方法确认 (AFM)。然而，由于热氧化的高温度，很多坑在 SiC-C 被生成面对擦亮后。
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