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2013-05-23 12:21
求翻译：An atomically flat and damage-free substrate surface is crucial for realization of the excellent properties of 4H-SiC. However, due to its chemical inertness and high hardness, polishing of 4H-SiC substrates using traditional chemical or mechanical processes is very difficult.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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An atomically flat and damage-free substrate surface is crucial for realization of the excellent properties of 4H-SiC. However, due to its chemical inertness and high hardness, polishing of 4H-SiC substrates using traditional chemical or mechanical processes is very difficult.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
原子级平坦，无损伤的衬底表面是用于实现4H - SiC的优异性能是至关重要的。
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2013-05-23 12:23:18
原子平和无损的基体表面为4H Sic优秀物产的认识是关键的。然而，由于它的化工惰性和高坚硬，擦亮4H Sic基体使用传统化学制品或机械处理是非常困难的。
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2013-05-23 12:24:58
原子平和无损的基体表面为4H-SiC优秀物产的认识是关键的。 然而，由于它的化工惰性和高坚硬，擦亮4H-SiC基体使用传统化学制品或机械处理是非常困难的。
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2013-05-23 12:26:38
以原子方式平坦、 无损害的衬底表面对于 4h SiC 的优良性能的实现至关重要。然而，由于它的化学惰性和硬度高，抛光 4 H-碳化硅衬底上制备传统化学或机械工艺是非常困难的。
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2013-05-23 12:28:18
利用原子能逐渐变平和无损害的 substrate 表面为 4H 电容率的极好的财产的实现是至关重要的。然而，由于其化学惰性和高难度，使用传统化学或者机械过程的 4H 电容率 substrates 的擦亮是很困难的。
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