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2013-05-23 12:21
求翻译：According to this said MEMS silicon microphone invention, the thickness of the silicon backplate is 400 ~ 420 μm, acting as one of capacitor plate, the diaphragm is the other capacitor plate. The silicon backplate comprises dozens of relatively big acoustic holes, which are located under the diaphragm. The acoustic hol是什么意思？ 待解决
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According to this said MEMS silicon microphone invention, the thickness of the silicon backplate is 400 ~ 420 μm, acting as one of capacitor plate, the diaphragm is the other capacitor plate. The silicon backplate comprises dozens of relatively big acoustic holes, which are located under the diaphragm. The acoustic hol
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
根据该所述MEMS硅麦克风发明中，硅背板的厚度为400〜420微米时，充当电容器板之一，所述膜片是另一个电容器板。
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2013-05-23 12:23:18
根据这话筒发明说MEMS硅，硅后挡板的厚度是400 | 420 μm，作为一个电容器板材，膜片是另一块电容器板材。硅后挡板包括数十个相对地大音响孔，被找出在膜片下。音响孔音响上互联与后侧方洞。
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2013-05-23 12:24:58
根据这个说的MEMS硅话筒发明，硅后挡板的厚度是400 ~ 420 μm，作为一个电容器板材，膜片是另一块电容器板材。 硅后挡板包括许多相对地大音响孔，被找出在膜片之下。 音响孔音响上互联与后侧方洞。 膜片暂停在后挡板中央零件的整个表面与音响孔并且包括可能减少stiction可能性在后挡板和硅膜片之间的微小的发布助理孔、春天微结构和爆沸。 整个硅膜片由氧化硅在后挡板支持。 被提及的硅氧化膜也提供优秀电子绝缘材料在后挡板和膜片之间，并且确定空气隙的深度后挡板和膜片之间的。 金属电极在膜片和后挡板连接用CMOS ASIC放大器用灌注泵。
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2013-05-23 12:26:38
根据此说的 MEMS 硅麦克风发明，硅背板的厚度是 400 ~ 420 μ m，充当一个电容板、 横膈膜是其他电容器板。硅背板具有较大的声孔，位于膈下几十个。声孔声学相互背面腔。横膈膜暂停声孔的背板中央部分的整个表面，包括释放助理小孔、 春天微观结构和颠簸，可减少粘连后挡板和硅膜片之间的概率。整个硅膜片被支持由氧化硅在背板。提到的硅氧化膜也提供优良的电绝缘，背板与横膈膜，并确定的背板和横膈膜之间的气隙深度。横膈膜和背板上的金属电极与 CMOS 集成电路放大器连接带电荷泵。
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2013-05-23 12:28:18
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