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2013-05-23 12:21
求翻译：The fourth domain occurs in the temperature range of 1120–1180 ℃ and strain rate range of 0.3–3.0 s–1, and the domain shows the peak efficiency of about 35% at 1160 ℃ and 0.7 s–1. Fig. 5(f) shows the typical microstructure of specimen deformed at 1150 ℃ and 1 s–1. It could be observed that the structure is composed of 是什么意思？ 待解决
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The fourth domain occurs in the temperature range of 1120–1180 ℃ and strain rate range of 0.3–3.0 s–1, and the domain shows the peak efficiency of about 35% at 1160 ℃ and 0.7 s–1. Fig. 5(f) shows the typical microstructure of specimen deformed at 1150 ℃ and 1 s–1. It could be observed that the structure is composed of
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
第四域发生在1120至80年℃，应变速率的0.3-3.0秒-1范围的温度范围，并在域显示约35％的最高效率，在1160 ℃和0.7秒-1 。
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2013-05-23 12:23:18
第四个领域在1120-1180 ℃的温度范围和0.3-3.0 s-1的变形率范围发生，并且领域显示高峰效率大约35%在1160 ℃和0.7 s-1。图5 (f)显示标本典型的微结构被扭屈在1150 ℃和1个s-1。可能注意到结构由与里面更加同类的粒度(大约15的美好的被重结晶的五谷组成μm)，不用锻炼的孪生。
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2013-05-23 12:24:58
第四个领域在1120-1180 ℃的温度范围和0.3-3.0 s-1的变形率范围发生，并且领域显示高峰效率大约35%在1160年℃和0.7 s-1。 。 5( f) 显示标本典型的微结构被扭屈在1150年℃和1 s-1。 它可能被观察结构由美好的被重结晶的五谷组成以里面更加同类的 (粒度大约15) μm，不用焖火孪生。 粒度大于那最初的五谷，暗示在热的变形期间，轻微的晶粒生长发生。 晶粒生长是由接口迁移控制的，并且驱动力为迁移是对总能的减少为接口(20)。 由于相对地更高的温度和更高的变形率，这个领域更喜欢举办半产品热的工作。
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2013-05-23 12:26:38
第四个域发生的温度范围在 0.3-3.0 1120年-1180年 ℃ 和应变速率范围内的 s — — 1 和域显示 1160年 ℃ 和 0.7 s — — 1 35%左右的峰值效率。图 5 (f) 显示典型的微观结构的试样变形 1150年 ℃ 和 1 s – 1。可以观察到的结构组成与更均匀的晶粒尺寸 （约 15 μ m） 的再结晶晶粒未经退火孪晶内。晶粒尺寸大于初始晶粒，暗示轻微的粮食增长发生在热变形过程中。由界面迁移，控制晶粒生长和迁移的驱动力是减少在总能量为接口 [20]。鉴于相对较高的温度和较高应变速率，此域被首选进行热加工的半成品。
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2013-05-23 12:28:18
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