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2013-05-23 12:21
求翻译：Chemical mechanical polishing (CMP) is widely used in the semiconductor industry as the finishing process of 4H-SiC substrates [1]. In a CMP process, 4H-SiC was polished by concentrated colloidal silica slurry in alkaline solution. The flattening ability of CMP is acceptable and less subsurface damage is introduced. In是什么意思？ 待解决
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Chemical mechanical polishing (CMP) is widely used in the semiconductor industry as the finishing process of 4H-SiC substrates [1]. In a CMP process, 4H-SiC was polished by concentrated colloidal silica slurry in alkaline solution. The flattening ability of CMP is acceptable and less subsurface damage is introduced. In
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
化学机械研磨（CMP ）被广泛地应用于半导体工业，作为4H - SiC衬底[1]的精加工工序。
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2013-05-23 12:23:18
化工机械擦亮(CMP)是用途广泛在半导体产业作为4H Sic基体[1的]终饰工作。在CMP过程中， 4H Sic由在碱性解答的被集中的胶质硅土泥浆擦亮。CMP的铺平的能力是可接受的，并且介绍较少表层下损伤。近年来，其他铺平的技术，例如催化剂被提到的蚀刻(关心)，电子CMP和光化学擦亮开发中提议并且是[2， 3]。
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2013-05-23 12:24:58
化工机械擦亮的 (CMP) 是用途广泛在半导体产业作为4H-SiC基体1的精整过程 ()。 在CMP过程， 4H-SiC由被集中的胶质硅土泥浆在碱性解答擦亮。 CMP的铺平的能力是可接受的，并且介绍较少表层下损伤。 近年来，其他铺平的技术，例如催化剂被提到的铭刻的 (关心)，电子CMP和光化学擦亮提议并且在发展 (2， 3中)。
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2013-05-23 12:26:38
化学机械抛光 （CMP） 作为 4 H-碳化硅衬底 [1] 的整理工艺广泛应用于半导体工业。在 CMP 过程中，4 H-碳化硅被抛光集中胶体硅料浆法在碱性溶液中。CMP 的拼合能力是可以接受并引入少亚表面损伤。近年来，一些其他拼合技术，如催化剂称为蚀刻 （保健） 电气 CMP 和光化学抛光提出了并正在发展 [2，3]。
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2013-05-23 12:28:18
化学制品机械擦亮 (CMP) 是广泛地应用于半导体工业作为 4H 电容率 substrates 的结束过程 (1)。在一个 CMP 过程中， 4H 电容率通过碱性的解答被集中的胶状的硅石 slurry 擦亮。CMP 的变单调能力是可接受和较不子表面的损害被介绍。在近几年，一些其他变单调技术，例如催化剂参考的铜版画 ( 操心 )，电-CMP 和光化学擦亮被提议和在发展下 (2， 3)。
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