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2013-05-23 12:21
求翻译：The flattening ability of CMP is acceptable and less subsurface damage is introduced. In recent years, some other flattening techniques, such as catalyst-referred etching (CARE), electrical-CMP and photochemical polishing were proposed and were under development [2, 3].是什么意思？ 待解决
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The flattening ability of CMP is acceptable and less subsurface damage is introduced. In recent years, some other flattening techniques, such as catalyst-referred etching (CARE), electrical-CMP and photochemical polishing were proposed and were under development [2, 3].
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
CMP的平坦化能力是可以接受的，少亚表面损伤被引入。
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2013-05-23 12:23:18
CMP的铺平的能力是可接受的，并且介绍较少表层下损伤。近年来，其他铺平的技术，例如催化剂被提到的蚀刻(关心)，电子CMP和光化学擦亮开发中提议并且是[2， 3]。
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2013-05-23 12:24:58
CMP的铺平的能力是可接受的，并且介绍较少表层下损伤。 近年来，其他铺平的技术，例如催化剂被提到的铭刻的 (关心)，电子CMP和光化学擦亮提议并且在发展 (2， 3中)。
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2013-05-23 12:26:38
CMP 的拼合能力是可以接受并引入少亚表面损伤。近年来，一些其他拼合技术，如催化剂称为蚀刻 （保健） 电气 CMP 和光化学抛光提出了并正在发展 [2，3]。
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2013-05-23 12:28:18
CMP 的变单调能力是可接受和较不子表面的损害被介绍。在近几年，一些其他变单调技术，例如催化剂参考的铜版画 ( 操心 )，电-CMP 和光化学擦亮被提议和在发展下 (2， 3)。
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