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2013-05-23 12:21
求翻译：Also, it has been proved that after 4H-SiC (0001) substrate was irradiated with water vapor plasma, it was oxidized and the main oxidation product was SiO2 which was much softer and easier to be removed compared with the bulk material SiC. In the case of PAP, plasma irradiation and soft abrasive polishing were simultan是什么意思？ 待解决
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Also, it has been proved that after 4H-SiC (0001) substrate was irradiated with water vapor plasma, it was oxidized and the main oxidation product was SiO2 which was much softer and easier to be removed compared with the bulk material SiC. In the case of PAP, plasma irradiation and soft abrasive polishing were simultan
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
另外，已经证明，后的4H-SiC （0001 ）衬底，照射水蒸气等离子体，它被氧化，并且主氧化产物是二氧化硅为更柔软，更容易与散装材料的SiC相比被除去。
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2013-05-23 12:23:18
并且，证明，在4H Sic (0001)以后基体照耀了与水蒸气等离子，它被氧化了，并且主要氧化作用产品是SiO2哪些是更软的，并且更加容易被去除和粒状材料SiC相比。在PAP情况下，等离子辐照区域和软绵绵地磨蚀擦亮同时被举办了。
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2013-05-23 12:24:58
并且，它证明，在4H-SiC (0001以后) 基体照耀了与水蒸气血浆，它被氧化了，并且主要氧化作用产品是SiO2哪些是更软的，并且更加容易被去除和粒状材料SiC相比。 在PAP情况下，血浆辐照区域和软绵绵地磨蚀擦亮同时被举办了。
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2013-05-23 12:26:38
此外，证明了后 4h SiC （0001） 衬底被辐照与水蒸气等离子氧化容易被删除比较散体材料 SiC 和主要的氧化产物是 SiO2，细腻多了。在 PAP，同时进行了等离子体辐照和软的研磨抛光。
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2013-05-23 12:28:18
另外，它被证明了那在 4H 电容率之后 (0001)substrate 利用水蒸汽血浆被照射，它被氧化和主要氧化产品是 SiO2 那是更软和更容易的被撤销与容积的材料 SiC 相比。在奶头，血浆发光和擦亮的软的磨料的情况下同时被召开。
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