求翻译：To confirm the possibility of atomic-scale flattening of SiC-C faces, CeO2 slurry polishing of a thermally oxidized SiC-C face was also conducted.是什么意思？

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To confirm the possibility of atomic-scale flattening of SiC-C faces, CeO2 slurry polishing of a thermally oxidized SiC-C face was also conducted.

问题补充：

匿名	2013-05-23 12:21:38 为了证实碳化硅-C面临着原子尺度的变平的可能性，热氧化的SiC - C面的氧化铈抛光浆还进行。

匿名	2013-05-23 12:23:18 要证实原子标度铺平的可能性SicC面孔， CeO2泥浆擦亮一张热量地被氧化的SicC面孔也被举办。

匿名	2013-05-23 12:24:58 要证实可能性原子称铺平SiC-C面孔， CeO2一张热量地被氧化的SiC-C面孔的泥浆擦亮也被举办了。

匿名	2013-05-23 12:26:38 若要确认原子尺度拼合的 SiC C 面孔的可能性，CeO2 浆抛光的热氧化的 SiC C 面也进行。

匿名	2013-05-23 12:28:18 确认 SiC-C 的变单调的原子规模的可能性面对，一张热地氧化的 SiC-C 脸的擦亮的 CeO2 slurry 也被召开。

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