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2013-05-23 12:21
求翻译：Fig. 6 shows the cross-sectional morphology of the remelted layer.The top layer consisted of uniform columnar NbSi2 phases that had grown perpendicularly from the coating surface. Such formation of columnar phases arises from solidification processes [28]. According to the principles of solidification, the morphology of 是什么意思？ 待解决
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Fig. 6 shows the cross-sectional morphology of the remelted layer.The top layer consisted of uniform columnar NbSi2 phases that had grown perpendicularly from the coating surface. Such formation of columnar phases arises from solidification processes [28]. According to the principles of solidification, the morphology of
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
图。
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2013-05-23 12:23:18
图6显示被回炉的层数的横截形态学。顶层包括了从涂层表面垂直地增长的一致的柱状NbSi2阶段。柱状阶段的这样形成从先令fi正离子过程[28]出现。根据先令fi正离子的原则，先令fi编辑阶段的形态学由它的增长率(r)和在液体的温度差(G)控制在推进的接口附近。
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2013-05-23 12:24:58
。 6个展示被回炉的层数的横截形态学。顶层包括了从涂层表面垂直地增长的一致的柱状NbSi2阶段。 柱状阶段的这样形成出现从先令fi正离子过程 (28)。 根据先令fi正离子的原则，先令fi编辑阶段的形态学由它的生长率R (和) 温度差G (在) 液体近控制推进的接口。 因此，晶粒生长方向在被对待的涂层与在熔化水池垂线导致的高温度差的取向有关对水池表面被电子束表面回炉的 (29)。
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2013-05-23 12:26:38
图 6 显示了重熔层的截面形态。最上面一层包括已经垂直地从涂层表面的均匀柱状的 NbSi2 阶段。这种形成的柱状阶段源自 solidification 进程 [28]。根据 solidification 的原则，solidified 相的形貌控制及其增长速度 (R) 和温度梯度 (G) 推进界面附近的液体。因此，处理涂层中的晶粒生长方向与垂直于池表面由电子束表面重熔 [29] 下熔池内诱导的高温度梯度的方向有关。
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2013-05-23 12:28:18
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