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2013-05-23 12:21
求翻译：In the present case, when electron beam remelting treatment induced rapid phase growth, a change in volume resulted. A substantial change in the total volume led to relaxation of the excess volume through the formation of vacancies. Since the interphase possessed lower energy, the vacancy flux moved from the crystal int是什么意思？ 待解决
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In the present case, when electron beam remelting treatment induced rapid phase growth, a change in volume resulted. A substantial change in the total volume led to relaxation of the excess volume through the formation of vacancies. Since the interphase possessed lower energy, the vacancy flux moved from the crystal int
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在目前的情况下，当电子束重熔治疗诱导的快速相生长，在体积变化造成的。
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2013-05-23 12:23:18
在当前案件，当电子束回炉的治疗导致了迅速阶段成长，体积变化发生了。在总容量上的一个坚固变化导致了剩余容量的放松通过空位的形成。因为相界面拥有了低能源，空位flux从水晶内部移动了向相界面界限。
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2013-05-23 12:24:58
当前案件，当电子束回炉的治疗导致迅速阶段成长，体积变化导致。 在总容量上的一个坚固变化导致了剩余容量的放松通过空位的形成。 因为相界面拥有的更低的能量，空位flux从水晶内部移动了向相界面界限。 在EB回炉的治疗的结尾，空位族聚在相界面界限导致毫微米毛孔带的形成在被回炉的层数和NbSi2微粒层数之间。
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2013-05-23 12:26:38
在本案中，当电子束重熔处理诱导迅速生长，体积变化导致。在总量中的重大变化导致松弛的过量体积通过形成的空缺。因为界面拥有较低的能量，空缺予以充分转向从晶体内部界面边界。EB 重熔处理一端，空缺聚合诱导在重熔的层和 NbSi2 颗粒层之间的界面的纳米孔隙带的形成。
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2013-05-23 12:28:18
在目前的案例中，当重新使被促使的治疗熔化的电子横梁快速阶段成长，在卷方面的一个变化发生。在被导致的总数的卷方面的一个实质性变化至空缺的构成的过多的卷的放松。由于互相阶段支配更低的能量，空缺？被改变水晶内部到互相阶段边界的 ux。在重新使治疗熔化的 EB 之末，空缺集合在熔化的层和 NbSi2 微粒层之间的互相阶段边界方面促使米的毛孔乐队的构成。
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