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2013-05-23 12:21
求翻译：The 典型 forward characteristics of new 800A 全 SiC module和existing 800A Si-based IGBT module are compared in 图8.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The 典型 forward characteristics of new 800A 全 SiC module和existing 800A Si-based IGBT module are compared in 图8.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
新800A全碳化硅模块和现有800A Si系IGBT模块的典型正向特性相比于图8 。
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2013-05-23 12:23:18
新的800A全SiC模块和现有的800A基于Si的IGBT模块的典型向前特征在图8被比较。
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2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:26:38
图8 比较典型正向特性的新 800A 全 SiC module和existing 800A Si 基 IGBT 模块。
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2013-05-23 12:28:18
？?新 800A 的前面的特征？SiC 模块？现有 800A 基于 Si 的 IGBT 模块被比较在？8.
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