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2013-05-23 12:21
求翻译：The total power loss can be drastically reduced（by 71% for 15kHz和76% for 30kHz ）when 全 SiC-module is used. This loss reduction is mainly due to reduced switching loss. Conclusion：全 SiC modules are very well suited for applications requiring high switching frequencies, where conventional Si-IGBT modules are reaching the是什么意思？ 待解决
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The total power loss can be drastically reduced（by 71% for 15kHz和76% for 30kHz ）when 全 SiC-module is used. This loss reduction is mainly due to reduced switching loss. Conclusion：全 SiC modules are very well suited for applications requiring high switching frequencies, where conventional Si-IGBT modules are reaching the
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的总功率损耗可以大幅度降低（ 71％对15千赫和76％为30kHz的），当全碳化硅模块被使用。
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2013-05-23 12:23:18
可以激烈地减少全面功率损失(71% 15kHz和的76% 30kHz的)，当使用时全SiC模块。这损失减少主要归结于减少交换损失。结论：全SiC模块很好适用与要求高交换的频率的应用，常规SiIGBT模块到达他们的热量极限。
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2013-05-23 12:24:58
可以猛烈地减少总功率损失(71%为15kHz和76%为30kHz)，当使用时全SiC模块。 这损失减少主要归结于减少交换损失。 结论：全SiC模块很好适用与要求高开关频率的应用，常规SiIGBT模块到达他们的热量极限。
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2013-05-23 12:26:38
总功率损失可以大大减少 （通过 30 千赫的 15khz和76%的 71%） 全 SiC 模块时使用。这种损失减少是主要由于减少开关损耗。结论： 全 SiC 模块很好适合需要高的开关频率，在常规硅 IGBT 模块已达到其热限制应用程序的影响。
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2013-05-23 12:28:18
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