|
关注:1
2013-05-23 12:21
求翻译:当使用全SiC模块时,总功率损耗可以大大减少(15KHz为71%,30kHz为76% )。这种损耗的减少主要是由于减少了开关损耗。结论:全SiC模块非常适合于需要高开关频率的应用,而常规Si IGBT模块达到了其热限制。是什么意思?![]() ![]() 当使用全SiC模块时,总功率损耗可以大大减少(15KHz为71%,30kHz为76% )。这种损耗的减少主要是由于减少了开关损耗。结论:全SiC模块非常适合于需要高开关频率的应用,而常规Si IGBT模块达到了其热限制。
问题补充: |
|
2013-05-23 12:21:38
当使用全碳化硅模块时,总功率损耗可以大大减少( 15KHz的为71 % , 30kHz的为76 % )。这种损耗的减少主要是由于减少了开关损耗。结论:全SiC模块非常适合于需要高开关频率的应用,而常规Si
|
|
2013-05-23 12:23:18
正在翻译,请等待...
|
|
2013-05-23 12:24:58
正在翻译,请等待...
|
|
2013-05-23 12:26:38
当使用全SiC模块时,总功率损耗可以大大减少 (15khz为71%、 30khz为76%)。这种损耗的减少主要是由于减少了开关损耗。结论:全SiC模块非常适合于需要高开关频率的应用而常规Si IGBT模块达到了其热限制。
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译,请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区