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2013-05-23 12:21
求翻译：当使用全SiC模块时，总功率损耗可以大大减少（15KHz为71%，30kHz为76% ）。这种损耗的减少主要是由于减少了开关损耗。结论：全SiC模块非常适合于需要高开关频率的应用，而常规Si IGBT模块达到了其热限制。是什么意思？ 待解决
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当使用全SiC模块时，总功率损耗可以大大减少（15KHz为71%，30kHz为76% ）。这种损耗的减少主要是由于减少了开关损耗。结论：全SiC模块非常适合于需要高开关频率的应用，而常规Si IGBT模块达到了其热限制。
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
当使用全碳化硅模块时，总功率损耗可以大大减少（ 15KHz的为71 ％ ， 30kHz的为76 ％ ）。这种损耗的减少主要是由于减少了开关损耗。结论：全SiC模块非常适合于需要高开关频率的应用，而常规Si
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
当使用全SiC模块时，总功率损耗可以大大减少 （15khz为71%、 30khz为76%）。这种损耗的减少主要是由于减少了开关损耗。结论:全SiC模块非常适合于需要高开关频率的应用而常规Si IGBT模块达到了其热限制。
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2013-05-23 12:28:18
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