|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：对于传统Si-IGBT模块，通常tSC（max）=10μs的短路能力的指定。在这种传统的IGBT驱动器消隐时间去饱和检测和SC -典型LY = 1 3μ的关断之间安装，这足以保证：没有虚假的SC SC关掉和安全保护跳闸。是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
对于传统Si-IGBT模块，通常tSC（max）=10μs的短路能力的指定。在这种传统的IGBT驱动器消隐时间去饱和检测和SC -典型LY = 1
3μ的关断之间安装，这足以保证：没有虚假的SC SC关掉和安全保护跳闸。
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
对于传统Si-IGBT模块，通常tSC（max）=10μs的短路能力的指定。在这种传统的IGBT驱动器消隐时间去饱和检测和SC
|
|
2013-05-23 12:23:18
对于传统SiIGBT模块，通常tSC (最大) =10μs的短路能力的指定。在这种传统的IGBT驱动器消隐时间去饱和检测和SC -典型LY = 1
3μ的关断之间安装，这足以保证：没有虚假的SC SC关掉和安全保护跳闸。
|
|
2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
|
|
2013-05-23 12:26:38
对于传统Si IGBT模块、 通常tSC (max) = 10μs的短路能力的指定。在这种传统的IGBT驱动器消隐时间去饱和检测和SC 典型LY = 1 3Μ的关断之间安装，这足以保证:没有虚假的SC SC关掉和安全保护跳闸。
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
