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2013-05-23 12:21
求翻译：An embodiment of the invention includes a pillar type capacitor where a pillar is formed over an upper portion of a storage node contact. A bottom electrode is formed over sidewalls of the pillar, and a dielectric film is formed over pillar and the bottom electrode. A top electrode is then formed over the upper portion是什么意思？ 待解决
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An embodiment of the invention includes a pillar type capacitor where a pillar is formed over an upper portion of a storage node contact. A bottom electrode is formed over sidewalls of the pillar, and a dielectric film is formed over pillar and the bottom electrode. A top electrode is then formed over the upper portion
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
本发明的一个实施方案包括，其中一个支柱上形成的一个存储节点接触的上部的支柱型电容器。
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2013-05-23 12:23:18
发明的实施例包括柱子被形成在存贮结联络的上部部分的一个柱子类型电容器。一个下电极被形成在柱子的侧壁，并且一部电介质影片被形成在柱子和下电极。顶面电极然后被形成在电介质影片的上部部分。[较少]
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2013-05-23 12:24:58
发明的具体化包括一个柱子类型电容器，柱子被形成在存贮结联络的上部部分。 一个下电极被形成在柱子的侧壁，并且一部电介质影片被形成在柱子和下电极。 顶面电极然后被形成在电介质影片的上部部分。(较少)
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2013-05-23 12:26:38
本发明实施例包括支柱在存储节点接触上半部分上形成地方支柱式电容器。底电极在支柱的侧壁上形成，支柱和底电极形成一介电膜。一顶电极然后在上部介质膜的形成。[少]
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2013-05-23 12:28:18
发明的体现包括一根柱子在一种存储节点联系的一个上层的部分上被形成的一个柱子类型容器。一个最后的电极在柱子的 sidewalls，一部绝缘的电影期间被形成在柱子上被形成和最后的电极。一个最高电极然后在绝缘的 film.(less) 的上层的部分上被形成
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